A Samsung a mai napon megkezdte új DDR3 DRAM moduljainak tömeggyártását, 20 nanométeres gyártási eljárással. Az új modulok kapacitása 4 Gb, azaz 512 MB. Az egyes modulok rendelkezésre álló memóriája azonban nem elsődleges jellemzőjük. A fejlődés éppen egy új gyártási eljárás alkalmazásában rejlik, amely akár 25%-kal alacsonyabb energiafogyasztást eredményez a régebbi, 25 nanométeres eljáráshoz képest.
A 20 nm-es technológiára való áttérés egyben az utolsó lépés, amely elválasztja a vállalatot a 10 nm-es eljárást alkalmazó memóriamodulok gyártásának megkezdésétől. Az új modulokhoz jelenleg használt technológia is a legfejlettebb a piacon, és nem csak számítógépekkel, hanem mobil eszközökkel is használható. Számítógépeknél ez azt jelenti, hogy a Samsung már képes azonos méretű, de lényegesen nagyobb működési memóriával rendelkező chipeket készíteni. A Samsungnak a meglévő technológiáját is módosítania kellett, hogy a jelenlegi gyártási módszer megtartása mellett kisebbre tudja tenni a chipeket.
